Struttura e prestazioni dei materiali
L'alta densità degli elementi Globar® SG e SR è la caratteristica principale che contribuisce alle loro prestazioni superiori. Non solo la struttura è meno porosa rispetto agli elementi convenzionali, ma molti dei pori sono chiusi e sigillati al gas di processo. Ciò limita la velocità di reazione e prolunga la durata dell'elemento, anche nelle condizioni più aggressive.
Tutti gli elementi in carburo di silicio aumentano il proprio valore resistivo nel tempo a temperature elevate, ma la velocità con cui ciò si verifica è molto più lenta quando si utilizzano elementi Globar® SG e SR rispetto ai tradizionali elementi recristallizzati. Gli elementi Globar® SG e SR hanno generalmente un valore resistivo molto più elevato rispetto agli elementi in barra con stesse dimensioni. Questa elevato valore, combinato al basso tasso di variazione di resistenza nel tempo, garantisce che la maggior parte dei sistemi possa operare direttamente con tensione di alimentazione di rete.
Nella maggior parte dei casi, i trasformatori non sono necessari permettendo un controllo di processo più economico che può essere ottenuto con contattori a stato solido (SSR) o tiristori (SCR).
Caratteristiche elettriche
Gli elementi Globar® SG e SR hanno proprietà di resistenza e temperatura tipiche del carburo di silicio alfa. Sebbene sia stabile dai 900 °C (1.650 °F) fino a un massimo di circa 1.600 °C (2.910 °F), la curva è variabile tra la temperatura ambiente e 800 °C (1.470 °F). A temperatura ambiente, la resistenza può essere un multiplo della resistenza a 1.000 °C (1.830 °F) e la resistenza dell'elemento deve essere sempre misurata a temperature
elevate.
Tipo di elemento |
Densità (g/cm3 e lb/in3) |
Porosità (%) |
Resistenza alla flessione a 4 punti (MPa) |
Densità standard |
2,30 |
0,08 |
25,0 |
50 |
Globar® SG e SR
|
2,85 |
0,10 |
8,5 |
100 |
Micrographs of SiC elements, Globar® SG
Micrographs of SiC elements, standard density bar