水平および垂直拡散炉用カセット

Fibrothal®拡散炉用カセットには、ライトゲージとヘビーゲージがあり、使用目的に応じて横型または縦型に設計され、配置されます。

横型炉と縦型炉の選択は、採用される特定の半導体製造プロセスや製造施設の目標など、さまざまな要因によって決まります。 その選択は、ウェーハサイズ、プロセス要件、製造ワークフロー全体などの要因に影響される場合があります。

実際には、半導体製造には横型炉と縦型炉の両方が使用され、その選択は製造プロセスの特定のニーズと制約に依存します。 それぞれの炉にはそれぞれの用途があり、メーカーが生産設備で両タイプの炉を組み合わせて使用することもあります。

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インフォメーション

横型カセット

  • カセットは通常200 mm以下のウェーハ用です。
  • 大気プロセス温度は600~1,350 °C(1,112~2,462 °F)です。
  • LPCVDプロセス温度は300~1,000 °C(572~1,832 °F)です。
  • 横型設備はかなり手作業が多く、自動化は通常、顧客の製造装置には組み込まれていません。
  • 横型カセットには、通常3~5の制御ゾーンがあります。

縦型カセット

  • カセットは通常200 mm以上のウェーハ用です。
  • 大気プロセス温度は600~1,350 °C(1,112~2,462 °F)です。
  • LPCVDプロセス温度は300~1,000 °C(572~1,832 °F)です。
  • 装置は顧客の製造ユニット内で高度に自動化されています。
  • 垂直カセットには、通常4~7の制御ゾーンがあります。